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IGBT模块使用上的注意事项

1. IGBT模块的集电极电流增大时,VCE(-)上升,所产生的额定损耗亦变大。同时,开关损耗增大,原件发热加剧。因此,根据额定损耗,开关损耗所产生的热量,控制器件结温(Tj)在 150oC以下(通常为安全起见,以125oC以下为宜),请使用这时的集电流以下为宜。特别是用作高频开关时,由于开关损耗增大,发热也加剧,需十分注意。

   一般来说,要将集电极电流的最大值控制在直流额定电流以下使用,从经济角度这是值得推荐的。
电压规格与所使用装置的输入电源即市电电源电压紧。根据使用目的,并参考本表,请选择相应的元件。 

 

2. 防止静电
IGBT的VGE的耐压值为±20V,在IGBT上加出了超出耐压值的电压的场合,由于会导致损坏的危险,因

而在栅极-发射极之间不能超出耐压值的电压,这点请注意。
在使用装置的场合,如果栅极回路不合适或者栅极回路完全不能工作时(珊极处于开路状态),若在主回

路上加上电压,则IGBT就会损坏,为防止这类损坏情况发生,应在栅极一发射极之间接一只10kΩ左左的

电阻为宜。此外,由于IGBT模块为MOS结构,对于静电就要十分注意。因此,请注意下面几点:
1)在使用模块时,手持分装件时,请勿触摸驱动端子部份。
2)在用导电材料连接驱动端子的模块时,在配线未布好之前,请先不要接上模块。
3)尽量在底板良好接地的情况下操作。
4)当必须要触摸模块端子时,要先将人体或衣服上的静电放电后,再触摸。 
5)在焊接作业时,焊机与焊槽之间的漏泄容易引起静电压的产生,为了防止静电的产生,请先将焊

机处于良好的接地状态下。
6) 装部件的容器,请选用不带静电的容器。
3.并联问题
用于大容量逆变器等控制大电流场合使用IGBT模块时,可以使用多个器件并联。
并联时,要使每个器件流过均等的电流是非常重要的,如果一旦电流平衡达到破坏,那么电过于集中的那

个器件将可能被损坏。为使并联时电流能平衡,适当改变器件的特性及接线方法。例如。挑选器件的VCE(sat)相同的并联是很重要的。

4.其他注意事项
1) 保存半导体原件的场所的温度,温度,应保持在常温常湿状态,不应偏离太大。常温的规定为5

-35℃,常湿的规定为45—75%左右。
2) 开、关时的浪涌电压等的测定,请在端子处测定。